O CVD (Chemical Vapor Deposition) enriquecido com plasma é um método utilizado para depositar películas finas a temperaturas mais baixas do que o CVD convencional. Esta técnica utiliza plasma para melhorar as reacções químicas necessárias para a deposição de películas, permitindo a criação de películas de alta qualidade, como o dióxido de silício, a temperaturas que variam entre 200-400°C, significativamente mais baixas do que os 425-900°C exigidos pelos métodos convencionais de CVD.
Mecanismo de CVD com plasma:
Na CVD enriquecida com plasma, é gerado um plasma utilizando métodos como o jato de plasma DC, o plasma de micro-ondas ou o plasma RF. Este plasma é introduzido na câmara de deposição onde interage com os gases precursores, aumentando as temperaturas dos electrões das partículas de deposição. O plasma desencadeia reacções químicas entre os gases, conduzindo à deposição de uma película fina sobre o substrato. Este processo é particularmente eficaz porque não só reduz a temperatura necessária para a deposição, como também melhora a qualidade e a estabilidade das películas depositadas, resultando frequentemente em taxas de crescimento mais rápidas.
- Vantagens da CVD enriquecida com plasma:Processamento a temperaturas mais baixas:
- Ao utilizar o plasma para fornecer energia para as reacções de deposição, o PECVD pode funcionar a temperaturas significativamente mais baixas do que o CVD convencional, o que é crucial para substratos que não suportam temperaturas elevadas.Melhoria da qualidade e estabilidade da película:
- A utilização de plasma em PECVD não só facilita operações a temperaturas mais baixas, como também melhora a qualidade e a estabilidade das películas depositadas. Isto é particularmente importante em indústrias como a dos semicondutores, onde a integridade da película é fundamental.Taxas de crescimento mais rápidas:
As técnicas PECVD, especialmente a deposição de vapor químico por plasma de micro-ondas, oferecem taxas de crescimento mais rápidas, tornando-as mais práticas e populares para aplicações como o fabrico de diamantes.Aplicações:
A CVD com plasma é amplamente utilizada na indústria de semicondutores devido à sua capacidade de aplicar revestimentos em superfícies que, de outra forma, seriam danificadas pelas altas temperaturas dos processos CVD convencionais. É particularmente favorecida pela sua capacidade de manter baixas temperaturas das bolachas, ao mesmo tempo que atinge as propriedades desejadas da película, o que a torna uma tecnologia essencial para o fabrico moderno de semicondutores.
Conclusão:
