O carboneto de silício (SiC) tem, de facto, uma elevada condutividade térmica.
A condutividade térmica do SiC varia entre 120 e 270 W/mK.
Nas formas monocristalinas, pode atingir até 490 W/mK.
Esta elevada condutividade térmica é uma propriedade significativa que contribui para a sua utilização em várias aplicações de alta temperatura.
4 Pontos-chave explicados
1. Valores de Condutividade Térmica
A condutividade térmica do carboneto de silício é notavelmente elevada.
Normalmente, varia entre 120 e 270 W/mK.
Esta gama é significativamente mais elevada do que a dos aços comuns e do ferro fundido.
Em formas específicas, como o SiC monocristalino, a condutividade térmica pode chegar a 490 W/mK.
2. Dependência da temperatura e do método de preparação
A condutividade térmica do SiC diminui com o aumento da temperatura.
O método de preparação do SiC influencia significativamente a sua condutividade térmica.
Os materiais recristalizados e sinterizados em fase líquida apresentam uma condutividade térmica mais baixa (cerca de 30 - 40 W/(m∙К)) em comparação com as formas monocristalinas.
3. Aplicações que beneficiam da elevada condutividade térmica
A elevada condutividade térmica do SiC torna-o ideal para inúmeras aplicações.
Os exemplos incluem componentes fixos e móveis de turbinas, permutadores de calor e equipamento de processamento de semicondutores.
Estas aplicações beneficiam da capacidade do SiC para conduzir eficientemente o calor.
4. Comparação com outros materiais
Em comparação com outros materiais como o nitreto de silício, o SiC tem uma condutividade térmica mais elevada.
O nitreto de silício apresenta propriedades térmicas anisotrópicas e condutividade térmica reduzida, especialmente a altas temperaturas.
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