A deposição por pulverização catódica é um método popular para criar películas finas, mas é geralmente mais lenta do que a deposição por evaporação.
Por que a deposição por pulverização catódica é mais lenta do que a deposição por evaporação? 4 razões principais explicadas
1. Danos ao substrato induzidos por plasma
A pulverização catódica utiliza um plasma, que gera átomos de alta velocidade que bombardeiam o substrato.
Este bombardeamento pode causar danos no substrato e abrandar o processo de deposição.
Em contraste, a deposição por evaporação envolve a evaporação de átomos de uma fonte, o que normalmente resulta num menor número de átomos de alta velocidade.
2. Introdução de impurezas
A pulverização catódica funciona com uma gama de vácuo inferior à da deposição por evaporação, o que pode introduzir impurezas no substrato.
O plasma utilizado na pulverização catódica tem uma maior tendência para introduzir impurezas em comparação com as condições de vácuo mais elevado utilizadas na deposição por evaporação.
3. Temperatura e taxa de deposição mais baixas
A pulverização catódica é efectuada a uma temperatura mais baixa do que a evaporação por feixe eletrónico, o que afecta a taxa de deposição.
A pulverização catódica tem uma taxa de deposição mais baixa, especialmente para dieléctricos.
No entanto, a pulverização catódica proporciona uma melhor cobertura de revestimento para substratos mais complexos e é capaz de produzir películas finas de elevada pureza.
4. Controlo limitado da espessura da película
A deposição por pulverização catódica permite taxas de deposição elevadas sem limitações de espessura, mas não permite um controlo preciso da espessura da película.
Por outro lado, a deposição por evaporação permite um melhor controlo da espessura da película.
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