A pulverização catódica por radiofrequência é uma técnica utilizada para depositar películas finas, particularmente de materiais isolantes ou não condutores, num substrato num ambiente de vácuo. Este método envolve a utilização de energia de radiofrequência (RF) para ionizar átomos de gás inerte, que depois bombardeiam um material alvo, fazendo com que este ejecte átomos que formam uma película fina no substrato.
Teoria da pulverização catódica por radiofrequência:
A base teórica da pulverização catódica por radiofrequência reside na ionização de átomos de gás utilizando energia de radiofrequência. Numa câmara de vácuo, são colocados um material alvo e um substrato. O gás inerte, como o árgon, é introduzido na câmara. É aplicada energia de RF a uma frequência de 13,56 MHz, que ioniza os átomos de gás, dando-lhes uma carga positiva. Estes iões de carga positiva são então acelerados em direção ao material alvo devido ao campo elétrico criado pela energia de RF. Quando os iões colidem com o alvo, deslocam átomos da superfície do alvo, um processo conhecido como pulverização catódica. Estes átomos deslocados deslocam-se e depositam-se no substrato, formando uma película fina.Prática de pulverização catódica RF:
Na prática, a pulverização catódica por radiofrequência é particularmente útil para depositar películas finas de materiais não condutores. A utilização de energia RF permite a limpeza contínua da superfície do alvo, evitando a acumulação de carga, que é um problema comum na pulverização de corrente contínua (DC). Durante o ciclo positivo da energia RF, os electrões são atraídos para o alvo, dando-lhe uma polarização negativa e neutralizando qualquer carga positiva. Durante o ciclo negativo, o bombardeamento de iões continua, assegurando uma pulverização contínua. Este ciclo alternado ajuda a manter um plasma estável e evita a formação de arcos, que podem degradar a qualidade da película fina ou mesmo interromper o processo de pulverização.
A pulverização magnetrónica RF, uma variante da pulverização RF, utiliza ímanes potentes para melhorar o processo de ionização e controlar a trajetória dos átomos ejectados, melhorando a eficiência e a uniformidade da deposição da película fina. Este método é particularmente eficaz para materiais que são difíceis de pulverizar utilizando métodos de corrente contínua devido às suas propriedades isolantes.
Em geral, a pulverização catódica por RF é um método versátil e eficaz para depositar películas finas, especialmente para materiais não condutores, e desempenha um papel crucial na produção de componentes para eletrónica e semicondutores.
