A deposição de vapor químico (CVD) é uma técnica versátil utilizada em várias indústrias, incluindo o fabrico de semicondutores e o crescimento de diamantes.
A pressão a que a CVD é conduzida pode variar significativamente, dependendo do método específico utilizado.
Compreender estas variações é crucial para obter resultados óptimos na síntese de materiais.
Qual é a pressão para a deposição química de vapor? (4 métodos principais explicados)
1. Crescimento de diamante CVD
O crescimento de diamante CVD ocorre normalmente sob baixa pressão.
Esta faixa de pressão está normalmente entre 1-27 kPa (0,145-3,926 psi; 7,5-203 Torr).
Neste ambiente de baixa pressão, os gases são alimentados numa câmara e energizados para facilitar o crescimento do diamante no substrato.
2. Deposição em fase vapor por processo químico a baixa pressão (LPCVD)
A LPCVD é efectuada a pressões de 0,1-10 Torr e a temperaturas que variam entre 200-800°C.
Este método envolve a adição de reagentes à câmara utilizando um sistema especializado de distribuição de precursores.
As paredes da câmara e o chuveiro são arrefecidos, enquanto o substrato é aquecido, promovendo reacções heterogéneas na superfície.
Uma vez terminada a reação, os subprodutos são removidos por meio de bombas de vácuo.
3. Deposição de vapor químico enriquecida com plasma (PECVD)
O PECVD utiliza o plasma para fornecer a energia necessária ao processo de deposição.
É efectuada a pressões de 2-10 Torr e a temperaturas relativamente baixas, que variam entre 200-400°C.
A energia eléctrica é utilizada para criar um plasma de gás neutro, que facilita as reacções químicas que conduzem à deposição.
4. Deposição em fase vapor por plasma de alta densidade (HDP CVD) e deposição em fase vapor por processo químico subatmosférico (SACVD)
A deposição em fase vapor por plasma de alta densidade (HDP CVD) utiliza um plasma de densidade mais elevada, permitindo uma deposição a temperaturas mais baixas (entre 80-150°C) no interior da câmara.
O SACVD, por outro lado, ocorre abaixo da pressão ambiente padrão e utiliza o ozono (O3) para catalisar a reação.
A pressão para SACVD situa-se entre 13.300-80.000 Pa, com uma elevada taxa de deposição que melhora com o aumento da temperatura até cerca de 490°C.
Continue a explorar, consulte os nossos especialistas
Procura equipamento de laboratório fiável para deposição química de vapor (CVD)?
A KINTEK é a solução!
Os nossos dispositivos de ponta foram concebidos para proporcionar ambientes de baixa pressão precisos e consistentes, garantindo um crescimento e deposição de diamantes superiores.
Com as nossas opções LPCVD e PECVD, pode obter resultados óptimos sem comprometer o controlo da reação ou a uniformidade.
Confie na KINTEK para todas as suas necessidades de CVD.
Contacte-nos hoje para saber mais!
