A pressão para a deposição química de vapor (CVD) pode variar dependendo do método específico que está a ser utilizado.
No crescimento do diamante CVD, o processo ocorre normalmente sob baixa pressão, variando de 1-27 kPa (0,145-3,926 psi; 7,5-203 Torr). Este ambiente de baixa pressão permite a alimentação de gases numa câmara, que são depois energizados para criar condições para o crescimento do diamante no substrato.
A deposição de vapor químico a baixa pressão (LPCVD) é outro método utilizado na CVD. É efectuada a pressões de 0,1-10 Torr e a temperaturas que variam entre 200-800°C. A LPCVD envolve a adição de reagentes à câmara utilizando um chuveiro especializado do sistema de distribuição de precursores. As paredes da câmara e o chuveiro são arrefecidos, enquanto o substrato é aquecido. Isto promove reacções heterogéneas na superfície. Uma vez concluída a reação, os subprodutos são removidos através de bombas de vácuo.
A deposição de vapor químico com plasma (PECVD) é outra variante da CVD que utiliza o plasma para fornecer a energia necessária ao processo de deposição. A PECVD é efectuada a pressões de 2-10 Torr e a temperaturas relativamente baixas, que variam entre 200-400°C. A energia eléctrica é utilizada para criar um plasma de gás neutro, que facilita as reacções químicas que conduzem à deposição.
Outras variações da CVD incluem a CVD HDP e a SACVD. A CVD HDP utiliza um plasma de maior densidade, permitindo uma deposição a uma temperatura mais baixa (entre 80-150°C) dentro da câmara. O SACVD, por outro lado, ocorre abaixo da pressão ambiente padrão e utiliza o ozono (O3) para catalisar a reação. A pressão para a SACVD situa-se entre 13 300 e 80 000 Pa, com uma elevada taxa de deposição que melhora com o aumento da temperatura até cerca de 490 °C.
Em geral, a pressão para a deposição de vapor químico pode variar consoante o método específico utilizado, desde pressões baixas de alguns Torr até pressões mais elevadas de milhares de Pa.
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