A pulverização catódica DC, também conhecida como pulverização por corrente contínua, é uma técnica de revestimento por deposição de vapor físico de película fina (PVD).
Nesta técnica, um material alvo que será utilizado como revestimento é bombardeado com moléculas de gás ionizado.
Este bombardeamento faz com que os átomos sejam "pulverizados" no plasma.
Estes átomos vaporizados condensam-se e depositam-se como uma película fina no substrato a ser revestido.
5 pontos-chave explicados
1. Fácil controlo e baixo custo
Uma das principais vantagens da pulverização catódica DC é que é fácil de controlar e é uma opção de baixo custo para a deposição de metal para revestimento.
2. Aplicações comuns
É normalmente utilizada para a deposição de metais PVD e para materiais de revestimento de alvos condutores de eletricidade.
A pulverização catódica DC é amplamente utilizada na indústria de semicondutores para criar circuitos de microchips a nível molecular.
Também é utilizada para revestimentos de ouro por pulverização catódica em jóias, relógios e outros acabamentos decorativos.
Além disso, é utilizado para revestimentos não reflectores em vidro e componentes ópticos.
3. Especificações técnicas
A pulverização catódica em corrente contínua baseia-se numa fonte de energia de corrente contínua (CC).
A pressão da câmara situa-se normalmente entre 1 e 100 mTorr.
Os iões de carga positiva são acelerados em direção ao material alvo.
Os átomos ejectados depositam-se nos substratos.
4. Materiais adequados
Esta técnica é normalmente utilizada com materiais de pulverização catódica de metais puros, como o ferro (Fe), o cobre (Cu) e o níquel (Ni), devido à sua elevada taxa de deposição.
5. Desafios com materiais dieléctricos
No entanto, é importante notar que a pulverização catódica de materiais dieléctricos pode fazer com que as paredes da câmara de vácuo sejam revestidas com um material não condutor.
Este pode reter cargas eléctricas.
Este facto pode levar ao aparecimento de pequenos e macro arcos durante o processo de deposição.
Isto pode resultar na remoção desigual de átomos do material alvo e em potenciais danos na fonte de alimentação.
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