Equipe técnica · Kintek Solution

O processo de deposição em camada atómica (ALD) envolve reacções químicas sequenciais e autolimitadas entre precursores em fase gasosa e espécies de superfície ativa para depositar películas finas com elevada uniformidade e excelente conformidade. O processo é caracterizado pela sua capacidade de controlar o crescimento da película à escala da camada atómica e é amplamente utilizado na indústria de semicondutores para o desenvolvimento de camadas dieléctricas de porta finas e de elevado K.

1. Introdução do Precursor: O processo ALD começa com a introdução de um precursor numa câmara de processo de alto vácuo que contém o substrato. O precursor forma uma monocamada quimicamente ligada à superfície do substrato. Este passo é auto-limitado, o que significa que apenas uma camada de moléculas de precursor se liga quimicamente à superfície, assegurando um controlo preciso da espessura da camada.

2. Remoção do excesso de precursor: Após a formação da monocamada, a câmara é novamente evacuada e purgada para remover qualquer excesso de precursor que não esteja quimicamente ligado. Este passo assegura que apenas a monocamada desejada permanece no substrato, evitando camadas adicionais indesejadas.

3. Introdução do Reactante: O passo seguinte envolve a introdução de um reagente na câmara. Este reagente reage quimicamente com a monocamada do precursor, formando o composto desejado na superfície do substrato. Esta reação é também auto-limitada, assegurando que apenas a monocamada do precursor é consumida.

4. Remoção de subprodutos da reação: Após a reação, os eventuais subprodutos são bombeados para fora da câmara, abrindo caminho para o ciclo seguinte de impulsos de precursores e reagentes. Este passo é crucial para manter a pureza e a qualidade da película que está a ser depositada.

Cada ciclo de impulsos de precursores e reagentes contribui com uma camada muito fina para a película global, variando tipicamente entre 0,04nm e 0,10nm de espessura. O processo é repetido até se atingir a espessura de película desejada. A ALD é conhecida pela sua excelente cobertura por fases, mesmo em elementos com rácios de aspeto elevados, e pela sua capacidade de depositar películas de forma previsível e uniforme, mesmo com espessuras inferiores a 10 nm. Esta precisão e controlo fazem da ALD uma técnica valiosa no fabrico de microeletrónica e outros dispositivos de película fina.

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