O carboneto de silício (SiC) não é um bom isolante elétrico.
De facto, certas formas de carboneto de silício, em especial as produzidas por deposição química de vapor (CVD), apresentam uma baixa resistência eléctrica, o que as torna condutores razoáveis de eletricidade.
Esta propriedade é particularmente evidente no "carboneto de silício CVD de baixa resistividade", que tem uma resistividade global inferior a 0,1 ohm-cm.
5 Pontos-chave para compreender
1. Explicação da condutividade eléctrica do SiC
A condutividade eléctrica do carboneto de silício é influenciada pelo seu método de produção e pelas condições específicas em que é processado.
O carboneto de silício CVD, em particular, pode ser concebido para ter uma resistência eléctrica muito baixa, cerca de um ohm cm, o que o classifica como um condutor e não como um isolador.
Esta baixa resistência deve-se à elevada pureza e ao controlo preciso do processo de deposição, que permite a criação de um material com menos defeitos e impurezas que, de outro modo, impediriam o fluxo de electrões.
2. Aplicações que beneficiam da condutividade eléctrica do SiC
As propriedades condutoras do carboneto de silício CVD permitem várias aplicações na indústria dos semicondutores.
É utilizado em componentes como susceptores, câmaras de processamento, placas de distribuição de gás e mandris electrostáticos, onde a condutividade eléctrica é crucial.
Além disso, a sua capacidade de conduzir eletricidade permite a utilização de métodos de maquinagem por descarga eléctrica (EDM) no fabrico de peças de precisão, o que é particularmente útil para a geração de pequenos orifícios de elevada relação de aspeto.
3. Contraste com as propriedades gerais do SiC
Embora o carboneto de silício CVD apresente propriedades condutoras, é importante notar que nem todas as formas de carboneto de silício são condutoras.
O carboneto de silício em geral, particularmente as variedades sinterizadas ou ligadas por reação, pode ter propriedades isolantes, dependendo da sua pureza e microestrutura.
A camada protetora de óxido de silício que se forma sobre o SiC no ar a altas temperaturas pode também melhorar as suas propriedades isolantes.
4. Conclusões
Em resumo, o carboneto de silício, especialmente a variante CVD, não é um bom isolante elétrico devido à sua baixa resistência eléctrica.
Esta propriedade torna-o um material valioso em aplicações que requerem condutividade eléctrica, resistência ao desgaste e resistência ao choque térmico, particularmente na indústria de fabrico de semicondutores.
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