Na deposição em fase vapor por processo químico (CVD), os substratos são a base sobre a qual são depositadas as películas finas.
Estes substratos são normalmente wafers ou outros materiais sólidos.
O processo envolve a exposição destes substratos a precursores voláteis que reagem e/ou se decompõem na sua superfície para formar o depósito desejado.
5 Pontos-chave explicados
1.Definição de substratos em CVD
No contexto da CVD, um substrato refere-se ao material de base sobre o qual ocorre o processo de deposição.
Este material é normalmente uma bolacha, que é uma fatia fina de material semicondutor, como o silício, utilizado em eletrónica e microeletrónica.
2.Importância do material do substrato
A escolha do material do substrato é fundamental, uma vez que este deve suportar as condições do processo CVD.
Estas condições podem envolver temperaturas elevadas e ambientes quimicamente reactivos.
3.Papel dos precursores voláteis
Durante o processo CVD, o substrato é exposto a um ou mais precursores voláteis.
Estes precursores encontram-se normalmente em estado gasoso e são introduzidos na câmara de reação, onde reagem e/ou se decompõem em contacto com o substrato aquecido.
A reação resulta na deposição de uma película fina ou de um revestimento na superfície do substrato.
4.Tipos de materiais depositados
A película pode ser constituída por vários materiais, incluindo compostos de silício (como o dióxido de silício, o carboneto de silício e o nitreto de silício), materiais de carbono (como os nanotubos de carbono e o grafeno), metais (como o tungsténio e o nitreto de titânio) e vários dieléctricos de alto K.
5.Utilização de gases inertes
O processo CVD envolve também a utilização de gases inertes, como o árgon ou o hélio.
Estes gases são utilizados para transportar os precursores voláteis para a câmara de reação e para evitar reacções superficiais indesejadas, como a oxidação, que poderiam degradar os precursores ou afetar a qualidade da película depositada.
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