O processo de película fina para semicondutores envolve a deposição de camadas de materiais condutores, semicondutores e isolantes num substrato, normalmente feito de silício ou carboneto de silício. Este processo é crucial para o fabrico de circuitos integrados e dispositivos semicondutores discretos. As camadas são cuidadosamente modeladas utilizando tecnologias litográficas para criar uma multiplicidade de dispositivos activos e passivos em simultâneo.
Métodos de deposição:
Os dois principais métodos de deposição de película fina são a deposição química de vapor (CVD) e a deposição física de vapor (PVD). Na CVD, os precursores gasosos reagem e depositam-se no substrato, formando uma película fina. A PVD, por outro lado, envolve os processos físicos de vaporização de um material e a sua condensação no substrato. Na PVD, são utilizadas técnicas como a evaporação por feixe de electrões, em que um feixe de electrões de alta energia é utilizado para aquecer um material de origem, fazendo com que este se evapore e se deposite no substrato.Características da película fina:
As películas finas têm normalmente menos de 1000 nanómetros de espessura e são cruciais para determinar a aplicação e o desempenho do semicondutor. As películas podem ser dopadas com impurezas como o fósforo ou o boro para alterar as suas propriedades eléctricas, transformando-as de isoladores em semicondutores.
Aplicações e inovações:
A tecnologia de película fina não se limita apenas aos semicondutores tradicionais, mas estende-se também à criação de camadas de compostos poliméricos para aplicações como células solares flexíveis e díodos orgânicos emissores de luz (OLED), que são utilizados em painéis de visualização para vários dispositivos electrónicos.
Visão geral do processo:
