A resistividade do carboneto de silício (SiC) é inferior a 0,1 ohm-cm, particularmente no contexto do carboneto de silício de baixa resistividade CVD (Chemical Vapor Deposition). Esta baixa resistividade é uma caraterística fundamental que aumenta a sua adequação a várias aplicações no fabrico de semicondutores e noutros ambientes de alta temperatura e alta tensão.
Explicação da resistividade do carboneto de silício:
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Composição e estrutura do material: O carboneto de silício é composto por tetraedros de átomos de carbono e silício com fortes ligações na rede cristalina. Esta estrutura não só torna o SiC muito duro e forte, como também influencia as suas propriedades eléctricas. As fortes ligações covalentes contribuem para a sua baixa resistividade, uma vez que estas ligações facilitam o movimento dos portadores de carga através do material.
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Condutividade eléctrica: A baixa resistividade do SiC está diretamente relacionada com a sua condutividade eléctrica. No contexto da referência fornecida, a baixa resistividade do SiC é descrita como tendo uma resistividade global inferior a 0,1 ohm-cm. Este nível de resistividade indica que o SiC é um bom condutor de eletricidade, o que é crucial para as suas aplicações em câmaras de processamento de bolachas, aquecedores e mandris electrostáticos, onde a condutividade eléctrica é essencial.
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Aplicações e benefícios: A baixa resistividade do SiC torna-o ideal para utilização em ambientes que exigem condutividade eléctrica, resistência ao desgaste e resistência ao choque térmico. Por exemplo, no fabrico de semicondutores, o SiC é utilizado em susceptores, câmaras de processamento e placas de distribuição de gás. A sua capacidade de conduzir eletricidade de forma eficiente ajuda a controlar e a distribuir energia para a bolacha, aumentando assim a precisão e a eficiência dos processos de deposição e gravação.
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Propriedades térmicas e químicas: Para além das suas propriedades eléctricas, o SiC também apresenta uma elevada condutividade térmica (120-270 W/mK), baixa expansão térmica e elevada resistência ao choque térmico. Estas propriedades, combinadas com a sua inércia química e retenção de resistência a altas temperaturas, fazem do SiC um material versátil para aplicações a altas temperaturas. O revestimento protetor de óxido de silício que se forma a altas temperaturas aumenta ainda mais a sua durabilidade e resistência ao ataque químico.
Em resumo, a resistividade do carboneto de silício, particularmente na sua forma de baixa resistividade, é um fator crítico que contribui para a sua vasta gama de aplicações nas indústrias de alta tecnologia. A sua baixa resistividade, associada às suas propriedades mecânicas e térmicas, faz do SiC um material de eleição para aplicações tecnológicas avançadas que requerem condutividade eléctrica e durabilidade a altas temperaturas.
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