A CVD (Chemical Vapor Deposition) e a ALD (Atomic Layer Deposition) são técnicas de deposição de película fina utilizadas no fabrico de dispositivos semicondutores e revestimentos. A CVD envolve a reação de precursores gasosos para produzir uma película fina, enquanto a ALD é um tipo de CVD de precisão que permite uma resolução da espessura da camada atómica e uma excelente uniformidade.
CVD (Chemical Vapor Deposition):
A CVD é um processo em que os precursores gasosos reagem para formar uma película fina num substrato. Esta técnica é versátil, capaz de depositar uma vasta gama de materiais, incluindo metais, semicondutores e cerâmicas. Os precursores são introduzidos numa câmara de deposição onde sofrem reacções químicas, depositando o material desejado no substrato. A CVD é frequentemente preferida pela sua capacidade de depositar películas espessas a taxas de deposição elevadas e pela sua vasta gama de precursores disponíveis.ALD (Deposição em camada atómica):
A ALD, por outro lado, é uma variante mais precisa da CVD. Utiliza um mecanismo de reação auto-limitada em que as camadas atómicas são formadas sequencialmente. Este processo envolve a utilização de dois materiais precursores que nunca estão presentes na câmara de reação em simultâneo. Em vez disso, são depositados de forma sequencial, camada a camada. Este método permite um controlo excecional sobre a composição, espessura e conformidade da película, tornando-o ideal para depositar películas muito finas (10-50 nm) e em estruturas de elevada relação de aspeto. A ALD é particularmente conhecida pela sua capacidade de criar camadas sem pinhole e pela sua excelente uniformidade em geometrias complexas e superfícies curvas.
Comparação e distinção:
