A deposição de vapor químico (CVD) é um processo complexo que envolve vários factores para garantir o resultado desejado.
Quais são os 5 principais factores que afectam a deposição química de vapor?
1. Pressão
Na CVD são normalmente utilizadas baixas pressões para evitar reacções indesejadas.
Isto ajuda a produzir uma espessura de deposição mais uniforme no substrato.
As pressões mais elevadas podem conduzir a uma deposição não uniforme e a reacções indesejadas.
2. Temperatura
A temperatura utilizada na CVD varia normalmente entre 800-1050 °C.
Temperaturas mais elevadas podem aumentar a taxa de reação.
Isto promove a decomposição ou reação das moléculas de gás na superfície do substrato.
3. Composição do gás
A escolha da composição do gás é crucial na CVD.
Determina as moléculas precursoras que irão reagir ou decompor-se no substrato.
Diferentes gases e as suas combinações podem produzir uma vasta gama de materiais, incluindo metais, óxidos metálicos, sulfuretos e silicetos.
4. Propriedades do substrato
As propriedades do substrato, tais como a sua composição, morfologia da superfície e estrutura cristalina, podem influenciar o crescimento e a adesão do material depositado.
O substrato deve ser compatível com o material desejado e fornecer uma superfície adequada para a nucleação e crescimento.
5. Conceção do reator
O tipo de reator CVD utilizado também pode afetar o processo de deposição.
Existem dois tipos principais: CVD à pressão atmosférica (APCVD) e CVD a baixa pressão (LPCVD).
Cada tipo tem as suas próprias vantagens e desvantagens, e a escolha depende dos requisitos específicos da aplicação.
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