Os princípios da pulverização catódica por radiofrequência envolvem a utilização de energia de radiofrequência (RF) para criar um plasma numa câmara de vácuo, que depois deposita uma película fina de material num substrato. Este método é particularmente eficaz para materiais não condutores.
1. Configuração da câmara de vácuo:
O processo começa por colocar o material alvo (o material a depositar) e o substrato (o material sobre o qual o material alvo será depositado) numa câmara de vácuo. Este ambiente é essencial para evitar a contaminação e para controlar as condições para uma deposição óptima.2. Introdução de gás inerte:
Os gases inertes, como o árgon, são introduzidos na câmara. Estes gases são escolhidos porque não reagem quimicamente com os materiais na câmara, garantindo a integridade do processo de deposição.
3. Ionização dos átomos de gás:
É utilizada uma fonte de energia RF para enviar ondas energéticas através do gás, ionizando os átomos do gás. Este processo de ionização confere aos átomos de gás uma carga positiva, criando um plasma. O plasma é um componente crítico, uma vez que contém os iões energéticos necessários para o processo de pulverização catódica.4. Pulverização catódica por magnetrão RF:
Na pulverização catódica por magnetrão RF, são utilizados ímanes potentes para melhorar o processo de ionização, confinando os electrões perto da superfície do alvo, aumentando a taxa de ionização do gás inerte. Esta configuração permite a pulverização eficiente de materiais não condutores através do controlo da acumulação de carga na superfície do alvo.
5. Deposição de películas finas:
Os átomos de gás ionizado, agora em estado de plasma, são acelerados em direção ao material alvo devido ao campo elétrico criado pela fonte de energia RF. Quando estes iões colidem com o material alvo, fazem com que os átomos ou moléculas sejam ejectados (pulverizados) e depositados no substrato.
6. Controlo da acumulação de carga:
