A pulverização catódica é uma técnica versátil utilizada em várias indústrias para a deposição de materiais. Existem vários tipos de técnicas de pulverização catódica, cada uma com caraterísticas e vantagens únicas.
4 Tipos principais de técnicas de pulverização catódica
1. Pulverização catódica de magnetrões de corrente contínua (DC)
A pulverização catódica com magnetrões de corrente contínua (CC) é um dos métodos mais comuns. Neste método, é utilizada uma fonte de alimentação de corrente contínua para gerar um plasma num ambiente de gás de baixa pressão.
O plasma é criado perto de um material alvo, normalmente feito de metal ou cerâmica, que deve ser pulverizado. O plasma faz com que os iões de gás colidam com o alvo, desalojando átomos da superfície e ejectando-os para a fase gasosa.
O campo magnético produzido pelo conjunto magnético ajuda a aumentar a taxa de pulverização e assegura uma deposição mais uniforme do material pulverizado no substrato.
A taxa de pulverização pode ser calculada utilizando uma fórmula específica que considera factores como a densidade do fluxo de iões, o número de átomos alvo por unidade de volume, o peso atómico do material alvo, entre outros.
2. Sputtering reativo
A pulverização reactiva envolve a combinação de um gás não inerte, como o oxigénio, e um material-alvo elementar, como o silício. O gás reage quimicamente com os átomos pulverizados dentro da câmara, gerando um novo composto que serve como material de revestimento em vez do material alvo puro original.
Esta técnica é particularmente útil para criar compostos químicos específicos no processo de deposição.
3. Sputtering por radiofrequência (RF)
A pulverização por radiofrequência (RF) é outro método comum. Utiliza energia de radiofrequência para gerar o plasma, o que o torna adequado para materiais alvo não condutores.
4. Sputterização magnetrónica de impulso de alta potência (HiPIMS)
A pulverização magnetrónica de impulso de alta potência (HiPIMS) é uma técnica mais recente que utiliza impulsos curtos e de alta potência para obter densidades de plasma mais elevadas e melhores propriedades de película.
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