A principal diferença entre a Deposição Química em Vapor (CVD) e a Deposição Física em Vapor (PVD) reside no método de deposição e na natureza das reacções envolvidas. A CVD envolve reacções químicas na superfície do substrato para depositar películas finas, enquanto a PVD envolve processos físicos para depositar materiais sem reacções químicas.
Processo CVD:
No processo CVD, um ou mais precursores voláteis são introduzidos numa câmara de reação juntamente com o substrato. Estes precursores reagem ou decompõem-se na superfície do substrato, formando uma camada fina de revestimento. O processo é designado por Deposição de Vapor Químico porque ocorre uma reação química real na superfície do substrato. Este método é normalmente utilizado para depositar películas finas com espessuras que variam entre alguns nanómetros e alguns micrómetros. A CVD não é adequada para depositar películas mais espessas ou para criar estruturas tridimensionais. Para além disso, alguns processos de CVD utilizam gases e produtos químicos perigosos, colocando em risco a saúde e a segurança dos trabalhadores.Processo PVD:
Em contrapartida, o PVD não envolve reacções químicas. Em vez disso, é um processo físico em que os materiais são vaporizados num ambiente de vácuo ou de baixa pressão e depois depositados no substrato. Existem vários tipos de métodos de PVD, todos eles envolvendo técnicas de revestimento a seco. A ausência de reacções químicas na PVD é a razão pela qual se chama Deposição em Vapor Físico. Os métodos PVD também são utilizados para depositar películas finas, mas diferem do CVD no mecanismo de deposição e nas condições em que são aplicados.
Aplicação e escolha:
