Para medir a espessura de uma película fina utilizando a microscopia eletrónica de varrimento (SEM), o processo envolve normalmente a análise de cortes transversais da película fina. Este método é particularmente eficaz para películas finas semicondutoras com espessuras que variam entre 100 nm e 100 μm. O SEM não só mede a espessura, mas também fornece informações sobre a morfologia da superfície e a composição elementar da película, especialmente quando associado a um detetor de espetroscopia de energia dispersiva (EDS).
Análise SEM em secção transversal:
O primeiro passo para medir a espessura de uma película fina com SEM é preparar uma amostra em secção transversal. Isto envolve cortar a amostra de forma a expor uma secção transversal limpa e clara da película fina. A amostra é então montada num suporte e revestida com uma fina camada de material condutor, normalmente ouro ou platina, para evitar que se carregue durante o processo de imagem SEM.Obtenção de imagens e medições:
Uma vez preparada, a amostra é fotografada com o SEM. O feixe de electrões percorre a superfície da amostra e as interacções entre os electrões e a amostra geram sinais que fornecem informações sobre a topografia da superfície da amostra, a sua composição e outras características. Para a medição da espessura, a vista em corte transversal é fundamental, uma vez que permite a visualização direta da espessura da película. A espessura pode ser medida diretamente a partir das imagens SEM, analisando a distância entre a superfície superior da película e o substrato.
Precisão e considerações:
A exatidão da medição da espessura depende da resolução do MEV e da qualidade da preparação da amostra. O MEV de alta resolução pode fornecer medições com precisão nanométrica. No entanto, é importante notar que a composição e a estrutura da amostra devem ser conhecidas para garantir uma análise exacta. Se a composição for desconhecida, pode levar a erros na medição da espessura.
Vantagens e limitações:
