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Suporte para limpeza de substratos de vidro condutor em PTFE

Material PTFE

Suporte para limpeza de substratos de vidro condutor em PTFE

Número do item : PTFE-03

O preço varia com base em especificações e personalizações


Material
Politetrafluoroetileno (ptfe)
Especificação
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Aplicação

Utilizado para equipamento de limpeza e corrosão de bolachas de silício semicondutoras, bolachas de silício, vidro, ecrãs de cristais líquidos, etc., flor azul de célula solar, bolacha de silício solar azul_portador de bolacha de silício solar, azul de célula fotovoltaica, bolacha de silício fotovoltaica azul, utilizado para equipamento de limpeza de bolachas de silício de célula solar, utilizado para transportar bolachas de silício de célula solar quadrada, e o material é PTFE. Este produto limpa e converte bolachas de silício em solução de NaOH, solução de HCl, HF e outras soluções abaixo de 100 ° C. Não deforma nem polui as bolachas de silício após uma utilização prolongada.

Detalhes e peças

Suporte de limpeza de substrato de vidro condutor em PTFE pormenor 1Detalhe do suporte de limpeza de substrato de vidro condutor de PTFE 2Detalhe do suporte de limpeza de substrato de vidro condutor de PTFE 3Detalhe do suporte de limpeza de substrato de vidro condutor de PTFE 4Detalhe do suporte de limpeza de substrato de vidro condutor de PTFE 5

Especificações técnicas

10×10×1.1mm 20×20×1.1mm 25×25×2.2mm 30×30×2.2mm
15×15×1.1mm 25×25×1.1mm 30×30×1.1mm

1 polegada, 2 polegadas, 4 polegadas de diâmetro, etc. (acima são tamanhos de bolacha de vidro ou silicone), alças duplas (a altura da alça pode ser personalizada) para fácil remoção de prateleiras de lavagem de folhas de PTFE de copos e outros recipientes com vidro.

Os produtos que apresentamos estão disponíveis em diferentes tamanhos e os tamanhos personalizados estão disponíveis mediante pedido.

Vantagens

  • Ampla gama de temperaturas: Funciona sem falhas de -200°C a +250°C.
  • Resistência excecional à corrosão: Resiste a ácidos fortes, álcalis, água régia e solventes orgânicos sem dissolução, adsorção ou precipitação.
  • Baixo valor em branco do elemento metálico: Risco mínimo de poluição.
  • Isolamento superior: Não é afetado por factores ambientais e pela frequência, apresentando uma baixa perda dieléctrica e uma elevada tensão de rutura.
  • Resistente ao envelhecimento atmosférico e à radiação.
  • Baixa permeabilidade: Assegura uma proteção e limpeza eficientes.
  • Auto-lubrificante: Apresenta o mais pequeno coeficiente de fricção entre os plásticos, reduzindo os problemas relacionados com a fricção.
  • Superfície não adesiva: Material sólido com baixa energia de superfície, evitando a aderência.
  • Propriedades mecânicas suaves: Oferece flexibilidade e versatilidade.

FAQ

O que é a deposição física de vapor (PVD)?

A deposição física de vapor (PVD) é uma técnica de deposição de películas finas através da vaporização de um material sólido no vácuo e da sua posterior deposição num substrato. Os revestimentos por PVD são altamente duráveis, resistentes a riscos e à corrosão, o que os torna ideais para uma variedade de aplicações, desde células solares a semicondutores. A PVD também cria películas finas que podem suportar temperaturas elevadas. No entanto, a PVD pode ser dispendiosa, e o custo varia consoante o método utilizado. Por exemplo, a evaporação é um método de PVD de baixo custo, enquanto a pulverização catódica por feixe de iões é bastante dispendiosa. A pulverização catódica por magnetrão, por outro lado, é mais cara mas mais escalável.

O que é RF PECVD?

RF PECVD significa deposição de vapor químico enriquecida com plasma de radiofrequência, que é uma técnica utilizada para preparar películas policristalinas num substrato, utilizando um plasma de descarga luminescente para influenciar o processo enquanto decorre a deposição de vapor químico a baixa pressão. O método RF PECVD está bem estabelecido para a tecnologia normal de circuitos integrados de silício, em que são normalmente utilizados wafers planos como substratos. Este método é vantajoso devido à possibilidade de fabrico de películas a baixo custo e à elevada eficiência da deposição. Os materiais podem também ser depositados como películas de índice de refração graduado ou como uma pilha de nano-filmes, cada um com propriedades diferentes.

O que é a pulverização catódica por magnetrão?

A pulverização catódica por magnetrão é uma técnica de revestimento baseada em plasma utilizada para produzir películas muito densas com excelente aderência, o que a torna um método versátil para criar revestimentos em materiais com pontos de fusão elevados e que não podem ser evaporados. Este método gera um plasma magneticamente confinado perto da superfície de um alvo, onde iões energéticos carregados positivamente colidem com o material alvo carregado negativamente, fazendo com que os átomos sejam ejectados ou "pulverizados". Estes átomos ejectados são então depositados num substrato ou bolacha para criar o revestimento desejado.

Como é que o PECVD RF funciona?

O RF PECVD funciona através da criação de um plasma numa câmara de vácuo. O gás precursor é introduzido na câmara e é aplicada uma potência de radiofrequência para criar um campo elétrico. Este campo elétrico resulta na ionização do gás precursor, formando um plasma. O plasma contém espécies reactivas que podem reagir quimicamente com a superfície do substrato, levando à deposição de uma película fina. A potência de RF também ajuda a controlar a energia do plasma, permitindo um melhor controlo das propriedades da película, como a composição, a uniformidade e a adesão. Os parâmetros do processo, como as taxas de fluxo de gás, a pressão e a potência de RF, podem ser ajustados para otimizar o processo de deposição da película.

Porquê a pulverização catódica por magnetrões?

A pulverização catódica por magnetrão é preferida devido à sua capacidade de atingir uma elevada precisão na espessura da película e na densidade dos revestimentos, ultrapassando os métodos de evaporação. Esta técnica é especialmente adequada para criar revestimentos metálicos ou isolantes com propriedades ópticas ou eléctricas específicas. Além disso, os sistemas de pulverização catódica por magnetrões podem ser configurados com várias fontes de magnetrões.

Quais são as vantagens do RF PECVD?

O PECVD RF oferece várias vantagens para a deposição de películas finas. Em primeiro lugar, permite a deposição de películas de alta qualidade com um excelente controlo das propriedades da película, como a espessura, a composição e a uniformidade. A utilização de um plasma aumenta a reatividade do processo, permitindo a deposição de películas a temperaturas mais baixas em comparação com os métodos tradicionais de CVD térmico. O RF PECVD também oferece uma melhor cobertura de etapas, permitindo a deposição de películas em estruturas de elevado rácio de aspeto. Outra vantagem é a capacidade de depositar uma vasta gama de materiais, incluindo nitreto de silício, dióxido de silício, silício amorfo e vários outros materiais de película fina. O processo é altamente escalável e pode ser facilmente integrado nos processos de fabrico existentes. Além disso, o RF PECVD é um método relativamente económico em comparação com outras técnicas de deposição de película fina.

Quais são os materiais utilizados na deposição de película fina?

A deposição de película fina utiliza normalmente metais, óxidos e compostos como materiais, cada um com as suas vantagens e desvantagens únicas. Os metais são preferidos pela sua durabilidade e facilidade de deposição, mas são relativamente caros. Os óxidos são altamente duráveis, suportam temperaturas elevadas e podem ser depositados a baixas temperaturas, mas podem ser frágeis e difíceis de trabalhar. Os compostos oferecem resistência e durabilidade, podem ser depositados a baixas temperaturas e adaptados para apresentarem propriedades específicas.

A seleção do material para um revestimento de película fina depende dos requisitos da aplicação. Os metais são ideais para a condução térmica e eléctrica, enquanto os óxidos são eficazes na proteção. Os compostos podem ser adaptados para satisfazer necessidades específicas. Em última análise, o melhor material para um determinado projeto dependerá das necessidades específicas da aplicação.

Quais são os métodos para obter uma deposição óptima de película fina?

Para obter películas finas com propriedades desejáveis, são essenciais alvos de pulverização catódica e materiais de evaporação de alta qualidade. A qualidade destes materiais pode ser influenciada por vários factores, tais como a pureza, o tamanho do grão e o estado da superfície.

A pureza dos alvos de pulverização catódica ou dos materiais de evaporação desempenha um papel crucial, uma vez que as impurezas podem causar defeitos na película fina resultante. O tamanho do grão também afecta a qualidade da película fina, sendo que os grãos maiores conduzem a propriedades de película pobres. Além disso, a condição da superfície é crucial, uma vez que as superfícies ásperas podem resultar em defeitos na película.

Para obter alvos de pulverização catódica e materiais de evaporação da mais alta qualidade, é crucial selecionar materiais que possuam alta pureza, tamanho de grão pequeno e superfícies lisas.

Utilizações da deposição de película fina

Películas finas à base de óxido de zinco

As películas finas de ZnO encontram aplicações em várias indústrias, tais como térmica, ótica, magnética e eléctrica, mas a sua principal utilização é em revestimentos e dispositivos semicondutores.

Resistências de película fina

As resistências de película fina são cruciais para a tecnologia moderna e são utilizadas em receptores de rádio, placas de circuito, computadores, dispositivos de radiofrequência, monitores, routers sem fios, módulos Bluetooth e receptores de telemóveis.

Filmes finos magnéticos

Os filmes finos magnéticos são utilizados em eletrónica, armazenamento de dados, identificação por radiofrequência, dispositivos de micro-ondas, ecrãs, placas de circuitos e optoelectrónica como componentes-chave.

Filmes finos ópticos

Os revestimentos ópticos e a optoelectrónica são aplicações padrão dos filmes finos ópticos. A epitaxia por feixe molecular pode produzir dispositivos optoelectrónicos de película fina (semicondutores), em que as películas epitaxiais são depositadas um átomo de cada vez no substrato.

Filmes finos de polímeros

Os filmes finos de polímeros são utilizados em chips de memória, células solares e dispositivos electrónicos. As técnicas de deposição química (CVD) oferecem um controlo preciso dos revestimentos de películas de polímeros, incluindo a conformidade e a espessura do revestimento.

Baterias de película fina

As baterias de película fina alimentam dispositivos electrónicos, tais como dispositivos médicos implantáveis, e a bateria de iões de lítio avançou significativamente graças à utilização de películas finas.

Revestimentos de película fina

Os revestimentos de película fina melhoram as características químicas e mecânicas dos materiais alvo em várias indústrias e campos tecnológicos. Revestimentos antirreflexo, revestimentos anti-ultravioleta ou anti-infravermelhos, revestimentos anti-riscos e polarização de lentes são alguns exemplos comuns.

Células solares de película fina

As células solares de película fina são essenciais para a indústria da energia solar, permitindo a produção de eletricidade relativamente barata e limpa. Os sistemas fotovoltaicos e a energia térmica são as duas principais tecnologias aplicáveis.

Factores e parâmetros que influenciam a deposição de películas finas

Taxa de deposição:

A taxa a que a película é produzida, tipicamente medida em espessura dividida pelo tempo, é crucial para selecionar uma tecnologia adequada à aplicação. As taxas de deposição moderadas são suficientes para películas finas, enquanto as taxas de deposição rápidas são necessárias para películas espessas. É importante encontrar um equilíbrio entre a velocidade e o controlo preciso da espessura da película.

Uniformidade:

A consistência da película ao longo do substrato é conhecida como uniformidade, que normalmente se refere à espessura da película, mas também pode estar relacionada com outras propriedades, como o índice de refração. É importante ter um bom entendimento da aplicação para evitar sub ou superespecificar a uniformidade.

Capacidade de preenchimento:

A capacidade de preenchimento ou cobertura de etapas refere-se a quão bem o processo de deposição cobre a topografia do substrato. O método de deposição utilizado (por exemplo, CVD, PVD, IBD ou ALD) tem um impacto significativo na cobertura e no preenchimento dos degraus.

Características da película:

As características da película dependem dos requisitos da aplicação, que podem ser classificados como fotónicos, ópticos, electrónicos, mecânicos ou químicos. A maioria das películas tem de cumprir requisitos em mais do que uma categoria.

Temperatura do processo:

As características da película são significativamente afectadas pela temperatura do processo, que pode ser limitada pela aplicação.

Danos:

Cada tecnologia de deposição tem o potencial de danificar o material depositado, sendo as características mais pequenas mais susceptíveis a danos no processo. A poluição, a radiação UV e o bombardeamento de iões estão entre as potenciais fontes de danos. É crucial compreender as limitações dos materiais e ferramentas.

Veja mais perguntas frequentes sobre este produto

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Pedro Martinez

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